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　　【背反射式太阳能电池及其制作方法】技术领域本发明涉及太阳能电池领域，尤其

　　涉及背反射式太阳能电池及其制作方法。背景技术一直以来，制约太阳能电池大规

　　模应用的主要瓶颈是较低的光电转换效率和过高的成本。根据热力学原理，材料吸

　　收光子的同时通过辐射复合发射光子，GaAs作为直接带隙材料，非平衡载流子辐

　　射复合的影响不可忽略。传统的GaAs电池是直接制备在砷化镓衬底上，载流子复

　　合产生的光子被衬底吸收，降低电池转换效率。如果能够通过光学设计使非平衡载

　　流子复合所产生光子的循环利用，电池的理论效率将增加。实现背面反射的一种方

　　Schermer等人将GaAs电池从衬底剥离，在背面蒸镀Au电极作为反射器，2009年

　　这种GaAs薄膜电池的转化效率达到26.1%，基区厚度仅为2μm。Au既可以做为

　　背电极，又可提供高的反射率（675nm-900nm波长范围内反射率超过95%），本

　　是一种非常理想的反光材料。但是Au与GaAs之间形成欧姆接触，需要经历一定

　　Schermer等人采用175℃退火30分钟，不仅影响电极接触电阻，而且Au的反射率

　　降低了8%。不只是Au电极，其它的金属电极也存在这样的问题。发明内容本发

　　明所要解决的技术问题是，提供背反射式太阳能电池及其制作方法。为了解决上述

　　问题，本发明提供了一种背反射式太阳能电池，包括一基底、依次设置于基底表面

　　的一反射介质膜、一背电极和一电池薄膜。所述电池薄膜为GaAs电池薄膜，包括

　　依次设置在背电极表面的GaInP背场层、GaAs基区、GaAs发射区、AlInP或

　　GaInP的窗口层及接触层。进一步包括上电极，所述上电极设置于接触层表面。所

　　述背电极的材料为透明导电薄膜。所述透明导电薄膜为氧化铟锡、氧化铟锌及石墨

　　烯中任意一种。所述反射介质膜包括两种类型介质层，所述两种类型的介质层呈周

　　期性间隔分布。为了解决上述问题，本发明还提供了一种背反射式太阳能电池的制

　　备方法，包括步骤：1）提供一GaAs衬底；2）在GaA衬底表面依次生长牺牲层

　　及电池薄膜；3）从牺牲层处将GaAs衬底和牺牲层剥离，直至显露出电池薄膜表

　　面；4）在电池薄膜表面制备背电极；5）提供一具有反射介质膜的基底；6）将所

　　述反射介质膜表面转移至背电极表面。步骤2）进一步包括步骤：在GaAs衬底表